Samsung est sur le point de créer une mémoire V-NAND à 1 000 couches, après avoir déjà développé un premier prototype à 900 couches. Il s'agit d'une avancée majeure dans la course face à la concurrence sur le marché de la mémoire de nouvelle génération. Samsung est considéré comme un pionnier de premier plan dans le domaine des mémoires à semi-conducteurs, et sa technologie V-NAND figure depuis longtemps parmi les meilleures du marché. En 2024, le fabricant avait annoncé son intention de commercialiser une mémoire NAND à 1 000 couches utilisant de nouveaux matériaux ferroélectriques. Aujourd'hui, selon ETNews, Samsung a réussi à implémenter une mémoire V-NAND à 900 couches grâce à la technologie CMB (Cell Multi-Bonding). Cette méthode consiste à assembler deux piles de cellules de 450 couches en un seul dispositif.

Grâce à ce nombre de couches, l'entreprise pourra augmenter considérablement la capacité des périphériques de stockage, notamment les SSD, présents dans la quasi-totalité des segments de marché (serveurs, centres de données, ordinateurs de bureau, ordinateurs portables et smartphones). Pour parvenir à une mémoire à 900 couches, Samsung a dû surmonter plusieurs défis techniques majeurs. L'un des principaux était la déformation des plaquettes de silicium causée par une conception multicouche aussi complexe. L'entreprise est désormais prête à travailler sur une mémoire à 1 000 couches, ce qui augmentera significativement la capacité par disque. Cette avancée permettra une augmentation significative de la production de mémoire, essentielle pour le développement de l'intelligence artificielle dans un avenir proche.