La division de fabrication à façon de Samsung, Samsung Foundry, connaît enfin une période faste, avec un taux d'utilisation des capacités impressionnant de 80 % ce trimestre. Ce résultat est d'autant plus remarquable comparé aux années précédentes, où l'entreprise peinait à remplir ses lignes de production, tandis que des concurrents comme TSMC maîtrisaient avec assurance des technologies de gravure plus avancées et se constituaient une large clientèle. La situation a désormais changé : les fonderies de Samsung fonctionnent à environ 80 % de leur capacité totale et produisent régulièrement des plaquettes de silicium. À titre de comparaison, leur taux d'utilisation avoisinait les 50 % l'an dernier, et au second semestre 2024, la production connaissait même une pénurie de capacités. Ces sites fabriquent des solutions utilisant les technologies de gravure 4 nm, 5 nm et 7 nm, désormais considérées comme « matures », le segment dominant s'orientant déjà vers la production de semi-conducteurs inférieurs à 3 nm.

L'un des principaux facteurs de reprise a été la forte demande en mémoire HBM de sixième génération (HBM4). Cette mémoire utilise une puce de base personnalisée, fabriquée selon un procédé de gravure en 4 nm. Contrairement à ses concurrents qui utilisent des normes plus anciennes pour la puce de base HBM4, Samsung utilise une variante en 4 nm avec une densité d'intégration plus élevée, permettant aux développeurs d'ASIC d'intégrer davantage de logique. Cela pourrait inclure, par exemple, des unités de traitement supplémentaires qui épaulent l'accélérateur principal dans les tâches d'IA.