SK Hynix a annoncé aujourd'hui le développement de nouveaux modules de mémoire LPDDR6 de 16 Go, fabriqués selon la technologie de gravure 10 nanomètres de sixième génération, connue sous le nom de 1C. L'entreprise sud-coréenne a confirmé que la production en série de cette mémoire est prévue pour le premier semestre, les premières livraisons aux clients étant attendues au second semestre. Selon SK Hynix, la vitesse de ces nouveaux modules LPDDR6 dépasse 10,7 Gbit/s (la vitesse de la génération de mémoire actuelle). D'après des sources internes, SK Hynix développe des modules atteignant des vitesses de 14,4 Gbit/s. Cette vitesse représente une augmentation significative de la bande passante par rapport à la génération précédente, la LPDDR5X. De fait, l'entreprise revendique elle-même un gain de performance d'environ 33 % par rapport à la LPDDR5X.

Outre une vitesse accrue, la nouvelle mémoire offre également des améliorations significatives en matière d'efficacité énergétique. SK Hynix estime que la consommation d'énergie peut être réduite de plus de 20 % grâce aux nouvelles technologies utilisées dans la LPDDR6. L'une de ces technologies est une structure à sous-canaux, qui permet aux canaux mémoire de fonctionner de manière sélective et de traiter uniquement les flux de données nécessaires. Ainsi, en mode veille, tous les canaux n'ont pas besoin d'être utilisés simultanément. La LPDDR6 utilise également la technologie de mise à l'échelle dynamique de la tension et de la fréquence, qui ajuste dynamiquement la tension et la fréquence de la mémoire en fonction du scénario d'utilisation.