Les smartphones arrivant dans les mois à venir auront des mémoires rapides et volumineuses, avec des performances inédites. Telles sont les promesses des nouvelles eUFS 3.0 ( stockage intégré universel Flash ) produites par Samsung Electronics , qui se préparent à être utilisées par les fabricants sur les smartphones du futur. Comme annoncé il y a quelques mois , la division de la société coréenne dédiée à l'électronique a déjà commencé la production de masse des nouveaux modèles de 128 Go et 512 Go sur la base des eUFS d'architecture 3.0, ceux qui utilisent la nouvelle matrice V-NAND en 512 Go de cinquième génération .

Les taux de transfert de données de ces nouvelles mémoires atteignent 2100 Mo / s en lecture séquentielle et 410 Mo / s en écriture séquentielle. Des chiffres très prometteurs: on parle d'une vitesse deux fois plus rapide que celle de la génération précédente eUFS 2.1 et même vingt fois celle d'une microSD standard. Ces performances de haut niveau peuvent apporter de grands avantages aux applications pratiques qui intéressent les utilisateurs de smartphones, en améliorant la gestion des contenus multimédia et en permettant l' enregistrement vidéo de vidéos à très haute résolution et à très haute cadrage.