Samsung vient de démarrer la production de masse de sa nouvelle mémoire flash 3D V-NAND. L'objectif du conglomérat sud-coréen est d'atteindre le tera-octet sur un simple disque SSD. Concrètement, il est question de fabriquer des cellules plus denses (128 Gb et avec une gravure à 10 nm) qui seront ensuite superposées verticalement, jusqu'à concurrence de 24. Par ailleurs, la durée de vie de cette mémoire serait doublée par rapport à l'actuelle.