Genève (Suisse) et Grenoble, le 24 septembre 2018 - STMicroelectronics (NYSE: STM), un leader mondial dont les clients couvrent toute la gamme des applications électroniques, et le CEA [1] , annoncent leur coopération en vue d'industrialiser des technologies « nitrure de gallium sur silicium » (GaN-on-Si) pour circuits de commutation de puissance. Cette technologie GaN-on-Si de puissance permettra à ST de répondre aux exigences d'applications à haut rendement et de forte puissance, telles que les chargeurs embarqués pour véhicules hybrides et électriques, les chargeurs sans fil et serveurs.

Cette collaboration se concentre sur le développement et la qualification d'architectures avancées de diodes et transistors de puissance en GaN sur silicium sur des plaquettes de 200 mm, dont le cabinet d'études IHS Markit estime que le marché devrait croître à un taux de croissance annuel composé (TCAC) de plus de 20 % de 2019 à 2024 [2] . Dans le cadre de l'Institut de recherche technologique IRT Nanoelec, ST et le CEA développent ensemble cette technologie sur la ligne de R&D 200 mm du CEA et tablent sur une validation des échantillons d'ingénierie en 2019. Parallèlement, ST mettra en place une ligne de fabrication entièrement qualifiée, incluant l'hétéro-hépitaxie nitrure de gallium sur silicium, en vue d'un premier déploiement de production industrielle sur le site de fabrication front-end dont dispose ST à Tours d'ici 2020.

De plus, en raison de l'intérêt que suscite la technologie GaN-on-Si pour les applications de puissance, le CEA et ST évaluent actuellement des techniques avancées permettant d'améliorer les possibilités de conditionnement pour l'assemblage de modules à haute densité de puissance.

« Compte tenu de l'exceptionnelle qualité de ces semiconducteurs à large bande, les contributions de ST dans les technologies de fabrication et le conditionnement de composants de puissance en nitrure de gallium sur silicium avec le concours du CEA-Leti nous permettront de disposer du portefeuille de produits et d'outils en GaN et SiC le plus complet de l'industrie, en plus de notre capacité reconnue à fabriquer en volume des produits fiables et de haute qualité », a déclaré Marco Monti, President du Groupe Produits Automobiles et Discrets, STMicroelectronics.

« Avec sa plateforme générique en 200 mm, l'équipe du CEA-Leti s'engage pleinement à soutenir la feuille de route stratégique de ST pour l'électronique de puissance en GaN-on-Si et est prête à transférer la technologie vers la ligne de fabrication dédiée dont est équipé le site ST de Tours. Ce développement conjoint auquel participent les équipes des deux partenaires s'appuie sur le programme de l'IRT Nanoelec pour élargir l'expertise nécessaire et innover d'emblée au niveau des composants et des systèmes », a déclaré Emmanuel Sabonnadière, directeur du CEA-Leti.