Le développement de mémoires DRAM et NAND de pointe est depuis longtemps le point fort de Samsung, et selon des sources internes, l'entreprise prévoit de dévoiler la nouvelle LPDDR6 au CES l'année prochaine. Mais une autre réalisation est encore plus significative : le géant coréen a créé un type de mémoire flash NAND fondamentalement nouveau qui réduit la consommation d'énergie de 96 %. Face à l'augmentation rapide des besoins en mémoire des centres de données d'IA, des smartphones et de nombreux autres appareils, cette technologie devient particulièrement importante, car l'augmentation de la capacité et de la vitesse entraîne également une augmentation de la consommation d'énergie.

L'avantage de cette nouvelle mémoire réside dans le fait que le blocage des courants inférieurs à la tension de seuil réduit considérablement le courant de fuite, améliorant ainsi l'efficacité énergétique. La mémoire NAND utilise une architecture en chaîne de cellules connectées en série ; plus le nombre de cellules est élevé, plus la consommation d'énergie est importante, car les fuites persistent même lorsque l'élément est hors tension. De plus, à mesure que la structure multicouche s'épaissit, la consommation d'énergie des opérations de lecture et d'écriture augmente. Samsung a résolu ce problème grâce à un mécanisme d'ingénierie extrêmement complexe qui permet une faible consommation d'énergie tout en maintenant des débits de transfert de données élevés. Bien entendu, l'entreprise dévoilera davantage de détails lors de la présentation officielle, mais pour l'instant, cette technologie s'annonce très prometteuse, notamment pour les smartphones et autres appareils électroniques mobiles.