IBM et Samsung ont annoncé une percée dans la conception des puces, avec des transistors empilés verticalement, par opposition à la structure plate des SoC actuels. Dans les transistors à effet de champ de transport vertical (VTFET), les transistors sont placés perpendiculairement les uns aux autres et le courant circule précisément dans cette direction. Cela devrait produire des avantages en termes de performances et d' autonomie (mais pas les deux ensemble). Selon les estimations de Samsung et IBM, les VTFET conduiront à des processeurs qui seront soit deux fois plus rapides, soit 85 % moins énergivores que les FinFET actuels. IBM et Samsung ont également déclaré que cela pourrait conduire à des smartphones pouvant durer une semaine complète avec une seule charge, ou rendre des tâches même très intenses, telles que l'extraction de crypto-monnaie , plus efficaces.

Dommage que les deux sociétés n'aient évoqué aucune date , ce projet n'est donc qu'une belle promesse pour un avenir indéterminé. En tout cas, il est agréable de rapporter des nouvelles similaires, car ces dernières années il semble que plus que de se concentrer sur l'autonomie, les différents fabricants de smartphones se soient concentrés sur la vitesse de charge : rien de mal dans tout ça, mais ne pas devoir toujours dépendre d'une prise de courant est une meilleure perspective .